拓荆科技获得半导体薄膜制作设备和办法专利可完成一种制作半导体薄膜的设备和办法

2024/02/06 产品展示

  2023年12月1日音讯，据国家知识产权局公告，拓荆科技股份有限公司获得一项名为“制作半导体薄膜的设备和办法“，授权公告号CN114686849B，请求日期为2020年12月。

  专利摘要显现，本请求供给一种制作半导体薄膜的设备和办法。所述设备包括腔室；喷淋板，其安顿在所述腔室的顶部；晶圆承载盘体，其在所述腔室内相对于所述喷淋板而安顿；以及抽气部件，其接近所述腔室的内侧壁而安顿。

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