：本发明涉及抗静电有机硅离型膜，其具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层的，并且更具体而言，涉及抗静电有机硅离型膜，其具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层，且用于半导体、电子和显示装置，同时解决了当将普通离型膜与粘合剂和粘合剂层分离时所产生的静电问题以及由这种直接引发严重产品缺陷的静电引起的污染问题。本发明还涉及抗静电有机硅离型膜，其可减少在将该膜从粘合剂或粘合剂层剥离时由静电引起的产品污染，由于在固化离型层时没有阻碍而在基底与涂覆的层之间拥有非常良好的粘附性，并且由此具有稳定的离型性能。-

  ：近来，半导体、电子和显示装置领域正在加快速度进行发展。在该领域中，慢慢的变多地使用合成树脂或合成纤维，导致麻烦的待解决的静电问题。通常，在其最大的目的为保护粘合剂层的离型膜领域中，已经使用慢慢的变多的树脂或纤维并需要用于该用途的抗静电性能。常规地，已经使粘合剂层抗静电以解决由于在将离型膜与粘合剂层分离时产生的静电引起的污染问题。然而，如果使粘合剂层抗静电，则由于抗静电剂不与粘合剂良好地相容，因此其未充分表现出抗静电性能。因此，除了在许多情况中的粘合剂层之外，已经使离型层抗静电。作为在用于精密材料领域的离型膜中所需的物理性能的离型性能需要取决于粘合剂的类型和用途的适当的剥离力、为了通过离型层被转移到粘合剂层而不降低粘附性的高的残余粘附性、离型层不被溶剂型粘合剂的有机溶剂剥落的耐溶剂性，若离型膜用于光学用途的高的光透射性等。常规的抗静电技术包括内部添加阴离子化合物如有机磺酸盐和有机磷酸盐、沉积金属化合物、以导电无机颗粒涂覆、以低分子的阴离子或阳离子化合物涂覆、以导电聚合物涂覆等。一种已知的用上述抗静电技术生产抗静电离型膜的常规方法为在有机硅组合物中包含金属，例如，锂、铜、镁、4丐、铁、钴或镍等(见美国专利公布No.4,764,565)。然而，上述方法在成本上不划算并且还具有在获得抗静电性能上的限制用该方法，阻碍用于光学用途的均匀涂覆的层的形成。如果抗静电组合物具有导电聚合物、离子型聚合物等，其阻碍有机硅离型涂覆组合物的固化，且难以形成离型涂覆层。抗静电层与有机硅层之间的紧密粘合也恶化，使得有机硅被转移，不利地影响粘合剂的功能。因此，在常规的抗静电离型膜的情况中，抗静电性能和离型性能两者可通过以下实现将抗静电组合物涂覆在基底上并干燥该膜，然后涂覆离型涂覆组合物，或者首先将抗静电组合物涂覆在基底的一侧上，然后将离型组合物涂覆在该基底的另一侧上。然而，由于这种形成常规抗静电离型膜的方法有必要进行至少两次的涂覆和干燥过程，因此就需要许多处理时间和成本

  技术问题个目的是提供良好的有机硅离型膜，使得该膜抗静电，当根据本发明的该膜用作以在线或离线生产的基本工艺生产的半导体、电子和显示装置的离型膜时，减少在将该膜从粘合剂剥离时由于静电引起的产品污染。本发明的另一目的是提供一种非常好的具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层的抗静电有机硅离型膜(在下文中称为抗静电有机硅离型膜)，通过实施涂覆工艺仅一次，使该抗静电有机硅离型膜充分地抗静电，且该膜具有基底与涂覆的层之间的良好的粘附性，因为在离型组合物的固化中没有阻碍。从阅读说明本发明优选实施方式的以下描述，本发明的上述和其它目的及优点将对本领域技术人员容易地显现。有益效果如上所述，如果根据本发明的抗静电有机硅离型膜通过在线或离线生产的基本工艺生产并用作半导体、电子和显示装置的离型膜，则有利的是，由于高水平的抗静电性能，因此可减少由于当将该膜从粘合剂层剥离时的由静电引起的产品污染。根据本发明的抗静电有机硅离型膜表现出基底与涂覆的层之间非常好的粘附性，因为在固化离型层时没发生阻碍，由此本发明的膜由于稳定的离型特性从而可适当地用于上述用途。从阅读说明本发明优选实施方式的以下描述，本发明的上述和其它目的及优点将对本领域技术人员容易地显现。最佳模式实现上述目的的根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，其包括聚酯膜和在该聚酯膜的至少一侧上以抗静电有机硅离型组合物涂覆至少一次的层，其中该抗静电有机硅离型膜满足以下方程式1和2两者SRS12(1)，和SAS^80(2)其中SR(欧姆/平方)是涂覆的层的表面电阻，且SAS(。/。)是涂层的残余粘附性。优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，该抗静电有机硅离型组合物包含有机聚硅氧烷、有机氢聚硅氧烷、硅烷偶联剂、导电聚合物树脂和铂螯合物催化剂。优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，该抗静电有机硅离型组合物中的导电聚合物树脂通过在聚阴离子中聚合聚p塞吩或其衍生物而制备。优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，该抗静电有机硅离型组合物中的导电聚合物树脂的量为0.05-0.5重量份，基于100重量份的有机聚硅氧烷。优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，该抗静电有机硅离型组合物中的硅烷偶联剂的量为0.05-1重量份，基于100重量份的有机聚硅氧烷。更优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，该抗静电有机硅离型组合物包含1.2-5重量份的固体含量。更优选地，根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征是，对于该有机聚硅氧烷的一个乙烯基，该抗静电有机硅离型组合物中的有机氬聚硅氧烷具有0.5-1.2个结合到该有机氢聚硅氧烷中的硅原子上的氢原子。具体实施例方式在下文中，将参照本发明的优选实施方式更详细地描述本发明。本领域技术人员应理解，各实施方式仅意图更详细地说明本发明，并且本发明的范围不受这些实施方式的限制。用在本发明中的聚酯膜不限于特定的类型，并且已知的常规聚酯膜可用作用于抗静电涂覆的基底膜。在本发明中，示例性聚酯膜是聚酯树脂聚酯膜，例如聚对苯二曱酸乙二醇酯、聚对苯二曱酸丁二醇酯、聚萘二曱酸乙二醇酯等。应注意，本发明的抗静电涂覆组合物的基底不限于聚酯片或膜。构成本发明的所述膜的聚酯通过将芳香族二羧酸和脂肪族二醇缩聚获得。芳香族二羧酸的实例包括对苯二曱酸、2,6-萘二曱酸等。脂肪族二醇的实例包括乙二醇、二甘醇、1，4-环己烷二曱醇等。聚酯的实例包括聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯(PEN)等。示例性聚酯可为含有第三种组分的共聚物聚酯。共聚物聚酯的二羧酸组分的实例包括间苯二曱酸、邻苯二曱酸、对苯二曱酸、2,6-萘二曱酸、己二酸、癸二酸、羟基羧酸(例如，对羟基苯曱酸)。二醇组分的实例包括乙二醇、二甘醇、丙二醇、丁二醇、1，4-环己烷二曱醇、新戊二醇等。可混合和使用两种或更多种类型的二羧酸和二醇组分。对于本发明的膜，为了高的透明性、生产率和可加工性的全部，使用单轴或双轴定向膜。本发明的抗静电有机硅离型组合物中包含的导电聚合物树脂优选为与聚遙吩或其衍生物混合以获得抗静电性能的聚阴离子。具体地，导电聚合物树脂通过独立地使用或混合由以下化学式1和化学式2表示的化合物且然后在聚阴离子下将所得混合物聚合而获得。化学式1formulaformulaseeoriginaldocumentpage6/formula在以上化学式l中，R,和R2各自表示氢原子、Cl-12的脂肪族烃基、脂环族烃基或芳香族烃基，且具体相应于曱基、乙基、丙基、异丙基、丁基、苯基等。化学式2其中n表示1-4的整数。该聚阴离子为酸性聚合物，还为聚合羧酸或聚合磺酸、聚乙烯基磺酸等。聚合羧酸的实例为聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚马来酸等。聚合磺酸的实例为聚苯乙烯磺酸等。同时，在本发明中，使用聚合物乳液，其包含0.5重量%的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和0.8重量％的聚苯乙烯磺酸。在用于形成以本发明的抗静电有机硅离型组合物涂覆的层的组合物中的该导电聚合物树脂的量为0.05-0.5重量份，基于100重量份的有机聚硅氧烷。如果其量小于0.05重量份，则难以使膜充分地抗静电。如果其量大于0.5重量份，则铂催化剂不发挥作用且由此在固化工艺中引起问题。本发明的有机聚硅氧烷的示例性分子结构示于以下化学式3中化学式3formulaformulaseeoriginaldocumentpage7/formulaR2为CH2-CH2-CH2-CH2-CH=CHrCH3,其中m和n为大于零(0)的整数。以上所示的有机聚硅氧烷在分子中含有乙烯基，其中该乙烯基可存在于该分子的任意部分中，但优选具体在该分子的末端。其可为直链或支链型分子结构、或其组合。用作根据本发明的涂覆组合物中的硬化剂的有机氢聚硅氧烷具有示于以下化学式4中的示例性分子结构化学式4formulaformulaseeoriginaldocumentpage7/formula其中q和p为大于零(0)的整数。该有机氢聚硅氧烷具有直链、支链或环型分子结构、或其组合。其粘度或分子量不限于特定数值，但其必须与有机聚硅氧烷良好地相容。对于本发明中有机氢聚硅氧烷的量，优选0.5-1.2个氢原子结合到硅原子上，基于有机聚硅氧烷的一个乙烯基。如果基于有机聚硅氧烷的一个乙烯基，结合到硅原子上的氬原子数小于5，则组合物未良好地固化。如果结合到其上的氢原子数大于1.2,则在固化工艺后，弹性或物理性能可恶化。同时，在根据本发明的抗静电有机硅离型组合物中，如果有机氢聚硅氧烷的量大于有机聚硅氧烷的量，则促进太多的交联，因此导致减小的柔性，由此在所得膜中产生裂缝并导致在膜中减小的光滑性。根据本发明的抗静电有机硅离型组合物中的硅烷偶联剂是作为基底与涂覆的层之间的桥并用于阻挡在导电聚合物树脂中作为催化剂毒物的官能团的重要组分。本发明中硅烷偶联剂的实例包括环氧硅烷、氨基硅烷、乙烯基硅烷、曱基丙烯酰氧基硅烷、异氰酸酯硅烷偶联剂等。用作根据本发明的抗静电有机硅离型组合物中的催化剂的铂螯合物在涂覆组合物的固化中起及其重要的作用。如果涂覆组合物和涂覆基底含有氮、磷、硫化合物或离子型聚合物物质，则铂螯合物不能起到催化剂的作用，且有机硅离型组合物未完全固化而失去离型性能或者导致抗静电层与有机硅层之间的粘附性减小，使得有机硅被转移。在本发明中，硅烷偶联剂用于阻挡抗静电有机硅离型组合物中的官能团以防止固化的阻碍。通过仅以抗静电组合物与离型组合物的混合物涂覆一次，实现抗静电性能和离型性能两者。将根据本发明的抗静电有机硅离型组合物稀释至含有基于涂覆组合物的总重量的1.2-5重量％的固体含量，然后将其涂覆在聚酯膜上。用在涂覆组合物中的溶剂不限于特定的类型，只要其可分散本发明中的固体以涂覆在聚酯膜或抗静电聚酯膜上，但优选该溶剂为水。如果抗静电有机硅离型组合物中固体含量的量小于1.2重量％,则难以获得用于粘合和抗静电性能的足够的剥离力。如果其量大于5重量％,所得膜的透明性降低且在固化涂覆组合物时可引起老化。在下文中，将以本发明的实施方式和对比例更详细地描述本发明。实施方式实施方式1首先，包含基于100重量份有机聚硅氧烷的0.05重量份导电聚合物树脂、0.05重量份硅烷偶联剂、5重量份有机氢聚硅氧烷和50ppm铂螯合物催化剂的有机硅离型组合物通过将该组合物稀释在水中而制备，该组合物具有总量为2重量％的固体含量。然后将该组合物涂布在厚度为IO微米的聚酯膜的经电暈放电处理过的表面上。在以该组合物涂覆该膜后，将该膜以热风干燥器在18(TC下干燥10秒以产生具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层的抗静电有才几硅离型膜。实施方式2以与上述实施方式1中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将O.l重量份的导电聚合物树脂添加到该组合物中之外。实施方式3以与上述实施方式1中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将0.5重量份的导电聚合物树脂和0.5重量份的硅烷偶联剂添加到该组合物中之外。对比例1以与上述实施方式1中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将1.0重量份的导电聚合物树脂添加到该组合物中之外。对比例2以与上述实施方式1中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将0.03重量份的导电聚合物树脂添加到该组合物中之外。7寸比例3以与上述实施方式3中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将0.5重量份的丙烯酸类抗静电剂添加到该组合物中而没有添加导电聚合物树脂之外。7寸比例4以与上述实施方式3中相同的方式制备抗静电有机硅离型膜，除了将0.5重量份的4级铵(class4ammonium,季铵)抗静电剂添加到该组合物中而没有添加导电聚合物树脂之外。以下列方式评价根据上述实施方式1-3和对比例1-4制备的膜的物理性能，结果示于表1中。实-睑实施例实-验实施例1:测量表面电阻将膜样品放置于23C和50%RH的湿度的环境中，以用抗静电测量仪器(MCP-T600，可得自MitsubishiCo.)根据JISK7194测量表面电阻。实验实施例2:测量剥离力-首先制备样品。1)将用于测量剥离力的有机硅涂覆的样品放在25。C和65%RH的环境中24小时。2)将标准胶粘带(TESA7475)层压在样品的有机硅涂覆的表面上，然后将所述样品用20g/cn^的负荷在25。C室温和50。C高温的环境中压制24小时以测量样品的物理性能。-测量4义器chem-instmmentAR-1000-测量方法1)180。的剥离角度和12英寸/分钟的剥离速度；和2)500mmxl500mm的样品尺寸，250mmxl500mm的用于测量剥离力的尺寸。-测量数据剥离力用克/英寸表示，在分别测量样品的剥离力5次后将测量数值进行平均。实验实施例3:测量残余粘附性-首先制备各样品。1)将有机硅涂覆的样品放在25。C和65%RH的环境中24小时。2)将标准胶粘带(Nitto31B)层压在样品的有机硅涂覆的表面上，然后将所述样品用20g/cm2的负荷在室温下压制24小时。3)没污染地将层压在有机硅涂覆的表面上的胶粘带剥去，然后将该胶粘带附着在光滑且清洁的PET膜表面上并通过将2kg的带辊(taperoller)(ASTMD-1000-55T)往复运行一次压制以将其层压。4)测量剥离力隱测量仪器chem-instrumentAR画1000-测量方法1)180。的剥离角度和12英寸/分钟的剥离速度。2)500mmxl500mm的才羊品尺寸，250mmxl500mm的用于测量剥离力的尺寸。-数据残余粘附性(％)=层压到涂覆的表面然^^人该涂覆的表面剥离的交粘带的剥离力\1()()未层压到该涂覆的表舒々胶粘带的剥离力X实验实施例4:测量固化水平对于该实验，用微量注射器将3^下列试验试剂涂覆在样品上，其中将3M810胶粘带层压在有机硅涂覆的层上并剥去以基于没有层压在有机硅离型涂层上的胶粘带的标准样品根据试剂散布程度判定固化水平。-试验试剂=IPA+紫色颜料-IPA=Mt3M810粘合剂层溶解，但不能使有机硅离型涂层溶解。与标准样品相比，判断随着试验试剂散布越少，固化程度越差。取决于斑点的相对尺寸，结果用非常好、好、一般或差表示。实验实施例5:测量耐溶剂性进行该实验以测量样品的膜表面的耐溶剂性。对于该测量，在将棉花签棒浸在特定有机溶剂中后，使该棉花签棒在100g的负荷下以5厘米/秒的速度在该有机硅涂覆的膜表面上往复移动10次，同时将该棉花签棒的角度保持在45度处。基于以下标准评价涂覆的表面的状态。实验实施例6:测量擦除性质用手指猛烈地摩擦有机硅离型涂层以检查在该聚酯膜上的有机硅除去程度，从而了解固化的有机硅层与基底之间的粘合特性。表1tabletableseeoriginaldocumentpage12/column/rowtable(◎:非常好，〇好，△:一般，X:差)(EA:乙酸乙烯酯；IPA:异丙醇；MEK:曱乙酮；和TOL:曱苯)从以上表1可看出，已知本发明的实施方式l-3可实现非常好的抗静电性能和稳定的离型性能两者。然而，在其中添加过量的导电聚合物树脂的对比例l的情况中，涂覆组合物的固化差。在其中导电聚合物树脂的量不足的对比例2的情况中，未获得抗静电性能。在其中使用阻碍本发明的上述有机硅离型组合物的固化的抗静电剂的对比例3和4的情况中，有机硅离型涂层的固化水平以及基底与以有机硅离型组合物涂覆的层之间的粘附性差。在该-说明书里面，仅il明了由发明人进行的各种实施方式的一些实施例，但应注意，本发明的技术范围不限于此，并且当然可由本领域技术人员做修改和变化。从上述描述，应注意到可进行各种修改和变化而不脱离本发明的真实精神和范围。应理解，上述描述意图说明而非意图限制由所附权利要求所限定的本发明的范围。本发明在于每个新的特性特征和各特征的每个组合。动词包括(含)及其变形的使用不排除不同于在权利要求中所述要素的要素的存在。在要素之前的冠词一种(个)(a)或一种(个)(an)不排除多种(个)这种要素的存在。权利要求1.一种抗静电有机硅离型膜，其特征是包括聚酯膜；和在该聚酯膜的至少一侧上以抗静电有机硅离型组合物涂覆至少一次的层，其中该抗静电有机硅离型膜满足以下方程式1和2两者SR≤12(1)，和SAS≥80(2)其中“SR(欧姆/平方)”是所述涂覆的层的表面电阻，且“SAS(％)”是所述涂覆的层的残余粘附性。2.权利要求1的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物包含有机聚硅氧烷、有机氢聚硅氧烷、硅烷偶联剂、导电聚合物树脂和铂螯合物催化剂。3.权利要求2的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物中该导电聚合物树脂通过在聚阴离子中聚合聚噻吩或其衍生物制备。4.权利要求2的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物中该导电聚合物树脂的量为0.05-0.5重量份，基于100重量份的有机聚硅氧烷。5.权利要求2的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物中该硅烷偶联剂的量为0.05-1重量份，基于100重量份的有机聚硅氧烷。6.权利要求1-5中任一项的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物包含1.2-5重量°/。的固体含量。7.权利要求2-5中任一项的抗静电有机硅离型膜，其特征是该抗静电有机硅离型组合物中该有机氢聚硅氧烷具有0.5-1.2个结合到该有机氢聚硅氧烷的硅原子上的氢原子，基于该有机聚硅氧烷的一个乙烯基。全文摘要本发明涉及一种抗静电有机硅离型膜，其具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层且用于半导体、电子和显示装置，同时解决了当普通离型膜与粘合剂或粘合剂层分离时产生的静电问题以及由这种引起严重产品缺陷的静电造成的污染问题。本发明还涉及一种抗静电有机硅离型膜，其可减少在将所述膜从粘合剂或粘合剂层剥离时由静电所导致的产品污染，并且由于在固化离型层时没有阻碍而获得基底与涂覆的层之间的紧密粘合，且也由此具有稳定的离型性能。文档编号B32B27/16GK101421104SQ7公开日2009年4月29日申请日期2007年9月5日优先权日2007年3月16日发明者尹宗郁,徐基奉,李政佑,李文馥,金相弼申请人:东丽世韩有限公司

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